为应对人工智能(AI)市场扩张带来的对高性能存储解决方案需求的增长,三星电子在其设备解决方案(DS)部门内部成立了全新的“HBM开发团队”,旨在提升其在高带宽存储器(HBM)领域的竞争力。根据Business Korea的最新报告,该团队将专注于推进HBM3、HBM3e以及下一代HBM4技术的研发。
这一举措紧随三星在五月份更换其半导体业务负责人的决定之后。报道称,DS部门围绕HBM开发团队的建立进行了组织结构调整。此外,7月4日韩国媒体Newdaily的一篇报道指出,三星已获得英伟达对其第五代HBM即HBM3e的合格认证,虽然三星随后否认了这一市场传闻,但这一动向仍吸引了广泛关注。
三星在HBM领域的投入历史悠久,自2015年起便在其存储业务部门内部维持着HBM开发组织。今年早些时候,三星还成立了特别工作组(TF)以加强HBM的竞争力,新团队的成立将进一步整合并强化这些正在进行中的努力。
据报道,三星在今年2月取得了重大突破,成功开发出了业界首个12层堆叠的HBM3e,提供了行业最大的36GB存储容量。HBM3e的8层和12层堆叠样品已送交英伟达进行质量测试。
根据TrendForce的报告,三星目前仍在与英伟达及其他主要客户合作,进行8层和12层HBM3e产品的资格认证工作。三星预计,其HBM3e的部分认证工作将在2024年第三季度末完成。
TrendForce最新分析指出,鉴于HBM的盈利性和市场需求不断上升,其生产将被优先考虑。然而,约50-60%的有限良率以及比DRAM产品大60%的晶圆面积意味着需要更高比例的晶圆投入。依据各公司的TSV(硅通孔)产能,预计到今年年底,HBM将占先进工艺晶圆投入的35%,剩余的晶圆产能将用于LPDDR5(X)和DDR5产品。